2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
2022年6月，欧盟议会批准了一项新指令，要求下一代便携式设备必须支持USB Type-C充电连接器。制造商必须在 2024 年秋季之前为其产品增加USB Type-C 接口，以兼容USB Type-C电缆。这项指令为众多行业带来影响，包括手机、数码相机、手持视频游戏机、便携式扬声器、键盘、便携式导航设备、耳塞、鼠标、电子书、耳麦和耳机等。常见的多串锂电池供电便携式电子设备如吸尘器、电动工具、音箱等，因其电源电压不尽相同，即内部采用的锂电池串数不同，按照传统的降压型充电方式，都需要使用专用的适配器充电，使
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快充 Type-C 大电流充电管理IC
中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 电动汽车
【2024年1月24日，德国慕尼黑讯】随着USB-C电源传输（PD）充电技术的日益普及，整个消费市场对兼容性强的充电器的需求也在增加。如今，用户需要功能强大而又设计紧凑的适配器。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的次级侧受控ZVS反激式转换器芯片组 EZ-PD™ PAG2可以满足这一需求。该芯片组由EZ-PD PAG2P和EZ-PD PAG2S两款不同的型号组成，集成了USB PD、同步整流器和PWM控制器。它能够使用脉冲-边沿转换器（PET）CYPET
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英飞凌 ZVS 反激式转换器 USB-C PD
众所周知，提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 SiC 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圆的艰难过渡，正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长，同时具有高刚性和化学稳定性，这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
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SiC 晶圆
康宁，纽约州——康宁公司（纽约证券交易所代码：GLW）和三星电子有限公司于2024年1月17日宣布，三星的Galaxy S24 Ultra设备将采用康宁的新型Corning® Gorilla® Armor盖板材料。大猩猩Armor具有无与伦比的耐用性和视觉清晰度，能在阳光下提供更丰富的显示效果，并能更好地防止日常磨损造成的损坏。“康宁的大猩猩®玻璃与Galaxy S系列一起推动了创新，并在实现更高的耐用性方面取得了重大进展，”三星电子执行副总裁兼移动体验业务机械研发团队主管 Kwang
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Corning 三星 Galaxy S24 Ultra 视觉清晰度
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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Transphorm 高功率服务器 工业电力转换 氮化镓场效应晶体管 碳化硅 SiC
1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的
推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创
历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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安森美 第三代半导体 碳化硅 SiC
意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
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SiC
TIOBE编程社区指数是一个衡量编程语言受欢迎程度的指标，评判的依据来自世界范围内的工程师、课程、供应商及搜索引擎。日前其官网公布了2023年12月的编程语言排行榜，官方的标题是“C#有望成为 2023 年度编程语言（C# on its way to become programming language of the year 2023）”。前20名编程语言中的“大多数”都失去了人气，这是因为小众编程语言的受欢迎度在上升。12月Python、C、C++、Java均有所下跌，其中C的跌幅最大，为-5.12
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编程语言 C# C C++ Java
USB Type-C 的出现标志着连接技术的转折点。这种结构紧凑的正反可插接口改变了我们交换数据和为设备供电的方式，提供了更快的数据传输速率和多功能供电。然而，当 USB Type-C 于 2014 年首次推出时，只是被添加到已经多种多样的连接器类型目录中，包括直流电源连接器甚至其他 USB 变体。虽然这种连接器的灵活性对设计电子设备的原始设备制造商有利，但却往往会给消费者带来负担，因为他们不得不使用无数不同的充电器为其购买的每台独特设备供电，从而进一步加剧了电子垃圾的激增。那么，可以做些什么呢
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USB Type-C 标准化
过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构，而是垂直结构，它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型，引入了更复杂的结构，如超级结，并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的
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英飞凌 SiC MOSFET
前言航嘉作为国内电源行业领跑品牌之一，推出了多款 G系列安全快充产品，一如此前的G20、G30、G35、G45、G65、G100等规格充电器，无论是应对主流且统一的手机端 USB Type-C 充电端口，还是为各国产手机的融合快充做了进一步支持适配，皆可减轻消费者选择和使用时的负担。充电头网拿到一款航嘉新推出的一款G系列安全快充产品—G35 Pro，它拥有2*Type-C 充电端口，同时，双端口皆兼容融合快充协议，用户可获得更好的充电体验；下面，就跟随充电头网来看看这款充电器的性能表现如何吧！
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航嘉 充电器 Type-C 评测
碳化硅作为下一代功率半导体的本命，进入了全面的市场拓展阶段。加上面向再生能源的市场，汽车使用市场的增长比最初的预想早了一年多，功率半导体的投资增长也显示出SiC的一方面。不久前，行业也有研究在300mm的SIC增产的动向。然而，解决SiC容量增强问题现在成为主流。这一趋势不仅限于日本和欧洲的功率半导体制造商。美国和中国之间的摩擦导致了SiC的国产化和量产化，这也是影响SIC的一方面。据电子器件行业报道，2023年9月7日，该公司表示，“中国SiC市场全方位战略已扩大工业化加速进入公司约100家。”中国Si
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SIC，液晶，半导体
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